低阈值高效率InAlGaAs量子阱808nm激光器

作     者：李建军 韩军 邓军 邹德恕 沈光地 LI Jian-jun;HAN Jun;DENG Jun;ZOU De-su;SHEN Guang-di

作者机构：北京工业大学北京光电子技术实验室北京100022 

基　　金：北京市优秀人才培养专项经费(67002013200303) 北京市人才强教计划--学术创新团队(05002015200504)资助项目 

出 版 物：《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)

年 卷 期：2006年第33卷第9期

页      码：1159-1162页

摘      要：以Al0.3Ga0.7As/InAlGaAs/Al0.3Ga0.7As压应变量子阱代替传统的无应变量子阱作为有源区,实现降低808 nm半导体激光器的阈值电流,并提高器件的效率。首先优化设计了器件结构,并利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)进行了器件的外延生长。通过优化外延生长条件,保证了5.08 cm片内的量子阱(QW)光致发光(PL)光谱峰值波长均匀性达0.1%。对于条宽为50μm,腔长为750μm的器件,经镀膜后的阈值电流为81mA,斜率效率为1.22 W/A,功率转换效率达53.7%。变腔长实验得到器件的腔损耗仅为2 cm-1,内量子效率达90%。结果表明,压应变量子阱半导体激光器具有更优异的特性。

主 题 词：激光器 InAlGaAs量子阱 金属有机物化学气相淀积 

学科分类：0808[工学-自动化类] 080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0805[工学-能源动力学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0258-7025.2006.09.002

馆 藏 号：203440011...