电流注入CMOS混频器的设计及特性分析

作     者：褚云飞 孙玲玲 文进才 CHU Yun-fei;SUN Ling-ling;WEN Jin-cai

作者机构：杭州电子科技大学CAD所杭州310018 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2007年第37卷第6期

页      码：806-810页

摘      要：分析并比较了两种基于电流注入技术的混频器的性能;定量地解释了跨导互补的电流注入混频器线性降低的原因。分析表明,相对于双平衡Gilbert混频器,两种基于Gilbert单元的电流注入混频器的性能,如增益、噪声和线性,都有所改善;传统电流注入混频器具有更好的线性特性,而跨导互补的电流注入混频器在增益和噪声方面则有更好的表现。基于TSMC 0.18μm CMOS混频器的仿真结果,对理论分析进行了验证。

主 题 词：CMOS 混频器 电流注入 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-3365.2007.06.009

馆 藏 号：203440386...