ANSYS通过台积电的7nm FinFET PLUS工艺技术和基于内存基板应用的集成扇出型高级封装技术认证

作     者：ANSYS 

作者机构：不详 

出 版 物：《中国集成电路》 (China lntegrated Circuit)

年 卷 期：2018年第27卷第12期

页      码：6-6页

摘      要：ANSYS近日宣布,ANSYS解决方案已通过台积电的7nm FinFET Plus(N7+)工艺技术节点认证,支持EUV技术,而且参考流程经验证可支持最新的基于内存基板应用的集成扇出型(InFO_MS)高级封装技术。台积电InFO高级封装技术经过扩展后可将内存子系统和逻辑芯片集成在一起。台积电和ANSYS改进了现有的InFO设计流程,支持新型InFO_MS封装技术,并使用ANSYS SIwave-CPA、ANSYS RedHawk-CPA、ANSYS RedHawk-CTA、ANSYS CMA和ANSYS CSM及相应的芯片模型验证了参考流程。InFO_MS参考流程包括晶片和封装的协同仿真和协同分析,支持提取、电源和信号完整性分析、电源和信号电迁移分析以及热分析等。

主 题 词：ANSYS FinFET 内存子系统 封装技术 技术认证 芯片集成 台积电 应用 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203440740...