SED电形成过程瞬态响应测量电路

作     者：王辉 孟令国 张玉娟 刘纯亮 梁海峰 WANG Hui;MENG Ling-guo;ZHANG Yu-juan;LIU Chun-liang;LIANG Hai-feng

作者机构：西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室陕西西安710049 

基　　金：国家自然科学基金重点项目(50637010) 

出 版 物：《电视技术》 (Video Engineering)

年 卷 期：2009年第33卷第8期

页      码：33-35页

摘      要：设计并制作了表面传导电子发射显示器(SED)电形成过程瞬态响应测量电路,该电路可以根据电形成过程中SED的阻值自动选择相应的测量电阻来测量SED的瞬态响应并将其记录下来。该电路可测量的SED阻值范围为50～3×105Ω,采样频率最大可达100kHz,量程切换时间为144μs,可以满足SED电形成过程中瞬态响应测量的要求。用该电路成功测量了SED样片在电形成过程中电阻的瞬时值,并给出了SED器件电压及SED电阻的变化曲线。实验结果表明运用该电路可研究电形成的详细过程。

主 题 词：SED 发射阴极 电形成过程 瞬态响应特性 测量电路 

学科分类：0810[工学-土木类] 08[工学] 081001[081001] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1002-8692.2009.08.011

馆 藏 号：203441082...