毫米波单片低噪声放大器的研制

作     者：严蘋蘋 陈继新 洪伟 Yan Pinpin;Chen Jixin;Hong Wei

作者机构：东南大学毫米波国家重点实验室南京210096 

基　　金：国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB327405) 国家自然科学基金委创新研究群体科学基金资助项目(60921063) 

出 版 物：《东南大学学报（自然科学版）》 (Journal of Southeast University：Natural Science Edition)

年 卷 期：2010年第40卷第3期

页      码：449-453页

摘      要：采用OMMIC0.18μm GaAs pHEMT工艺,研制了两级和三级2种毫米波单片低噪声放大器.以最小噪声度量为设计依据,通过适当提高偏置电流的方法改善毫米波频段的增益,使得放大器在保持噪声系数较小的同时获得较高的增益.两级低噪声放大器采用串联负反馈结合并联负反馈的结构,可以获得比较平坦的增益;三级低噪声放大器采用三级相似的串联负反馈结构级联,可以紧凑结构、在相同的芯片尺寸下获得较高的增益,2种低噪声放大器芯片的尺寸均为1.5mm×1.0mm.测试结果表明,在28-40GHz频段内,两级低噪声放大器增益最大为15.4dB、噪声系数最小为3.2dB;三级低噪声放大器增益最大为24.8dB、噪声系数最小为2.73dB,达到预期目标.

主 题 词：低噪声放大器 砷化镓 毫米波 噪声系数 

学科分类：0810[工学-土木类] 080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-0505.2010.03.003

馆 藏 号：203441592...