指数型温度补偿BiCMOS带隙基准电压源设计

作     者：王进军 王侠 WANG Jinjun;WANG Xia

作者机构：陕西科技大学电气与信息工程学院西安710021 西安科技大学电气与控制工程学院西安710054 

基　　金：2010陕西科技大学校级自选科研项目(ZX10-28) 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2012年第32卷第6期

页      码：610-615页

摘      要：利用双极型管电流增益的温度特性,采用UMC0.6μm BiCMOS工艺设计了一款指数型温度补偿BiCMOS带隙基准电压源。测试结果表明:温度在10°C～100°C之间变化,带隙基准电压随温度变化最大偏移为2.5mV;电源电压在2.5～5.0V之间变化,带隙基准电压随电源电压直流变化最大偏移为0.95mV。该带隙基准电压具有较高的温度稳定性和电压稳定性。

主 题 词：带隙基准 指数型温度补偿 温度系数 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2012.06.018

馆 藏 号：203442610...