武汉新芯取得三维数据型闪存技术

出 版 物：《集成电路应用》 (Application of IC)

年 卷 期：2015年第32卷第6期

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摘      要：武汉新芯正在进行的三维数据型闪存项目，已在研发上取得了重大突破，通过研发团队的努力，第一个具有9层结构的三维存储器芯片下线并一次性通过了存储器基本功能的电学验证。这一进展标志着武汉新芯已成为世界少有的拥有此项技术的公司之一，也预示了我国集成电路制造业将迎来跨越式发展。公司三维数据型闪存研发团队组建于2014年8月，第一阶段开发的九层三维NAND存储器原型阵列，在2014第四季度完成了版图设计和工艺流程的搭建，于2015年5月完成工艺制程开发及测试验证，首次流片即告成功，在预计的时间节点完成了所有研发过程。

主 题 词：闪存技术 数据型 三维 武汉 存储器芯片 集成电路制造业 工艺流程 测试验证 

学科分类：08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

馆 藏 号：203443789...