看过本文的还看了

相关文献

该作者的其他文献

文献详情 >基于GMR传感器三磁道磁卡读卡器设计 收藏
基于GMR传感器三磁道磁卡读卡器设计

基于GMR传感器三磁道磁卡读卡器设计

作     者:刘雯 钱正洪 白茹 孙宇澄 李健平 LIU Wen;QIAN Zheng-hong;BAI Ru;SUN Yu-cheng;LI Jian-ping

作者机构:杭州电子科技大学磁电子中心浙江杭州310018 湖北省磁电子工业技术研究院湖北宜昌443003 

基  金:浙江省重大科技专项项目(2011C11047) 浙江省"磁电子材料和器件"高校创新团队项目(2009) 浙江省重点科技创新团队项目(2010R50010) 

出 版 物:《传感器与微系统》 (Transducer and Microsystem Technologies)

年 卷 期:2015年第34卷第7期

页      码:54-56,59页

摘      要:针对金融、商业、邮电等消费领域对磁卡读卡器的要求,为实现低误码率,解决用户刷卡速度不一的问题,基于巨磁电阻(GMR)传感器,提出了一种新型三磁道磁卡读卡器的设计方案。该方案以解码芯片M3—2300—LOL为平台,设计了滤波电路和解码电路,实现了对三磁道磁卡的信息采集、分析和读取。经实验测试表明:巨磁电阻磁头可替代传统薄膜感应(TFI)磁头,该磁卡阅读系统运行稳定,效果良好。

主 题 词:巨磁电阻传感器 传统薄膜感应 解码电路 

学科分类:0711[理学-心理学类] 07[理学] 08[工学] 081104[081104] 0811[工学-水利类] 071102[071102] 081103[081103] 

D O I:10.13873/J.1000-9787(2015)07-0054-03

馆 藏 号:203443822...

读者评论 与其他读者分享你的观点

用户名:未登录
我的评分