晶体管、MOS 器件

出 版 物：《电子科技文摘》 (Sci.& Tech.Abstract)

年 卷 期：2003年第5期

页      码：25-25页

摘      要：Y2002-63306-626 0309486栅极长度为100nm 高电子迁移率晶体管的设计与实现=Design and realization of sub 100nm gate lengthHEMTs[会,英]/Parenty,T.& Bollaert,S.//2001IEEE International Conference on Indiurn Phosphide andRelated Materials.—626～629(E)

主 题 词：MOS realization 硅化物 对准误差 自对准 异质结 叶晖 德英 微波学报 对双 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203444135...