MOCVD法制备ZnO薄膜的正交试验设计

作     者：李香萍 张宝林 申人升 董鑫 杜国同 LI Xiang-ping;ZHANG Bao-lin;SHEN Ren-sheng;DONG Xin;DU Guo-tong

作者机构：吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室吉林长春130012 大连理工大学物理与光电工程学院三束材料改性国家重点实验室辽宁大连116023 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60576054 50532080) 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2008年第29卷第5期

页      码：700-704页

摘      要：采用低压-金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,结合正交试验设计,在(100)p-Si衬底上制备了高质量的ZnO薄膜。用室温光致发光研究了不同生长参数对ZnO薄膜光学质量的影响。通过正交分析法对所得样品相关特征指标的分析,得到生长温度、锌源温度和氧气流量3个独立工艺参数对薄膜光学质量的影响。结果表明,生长温度对薄膜光学质量的影响最大,其余依次为氧气流量和锌源温度,同时,通过分析还得到了最佳组合工艺。结合面探X射线衍射仪,分析了薄膜的结晶质量,发现在优化的工艺条件下制备出的ZnO薄膜具有较好的结晶质量。

主 题 词：金属有机化学气相沉积 正交试验设计 氧化锌 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.16818/j.issn1001-5868.2008.05.021

馆 藏 号：203447878...