兼容标准CMOS工艺的高压器件设计与模拟

作     者：刘奎伟 韩郑生 钱鹤 陈则瑞 于洋 饶竞时 仙文岭 

作者机构：中国科学院微电子中心北京100029 首钢日电电子有限公司北京100041 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2003年第24卷第7期

页      码：758-762页

摘      要：在 Synopsys TCAD软件环境下 ,模拟实现了与 0 .5 μm标准 CMOS工艺兼容的高压 CMOS器件 ,其中NMOS耐压达到 10 8V,PMOS耐压达到 - 6 9V.在标准 CMOS工艺的基础上添加三块掩膜版和五次离子注入即可完成高压 CMOS器件 ,从而实现高、低压 CMOS器件的集成 .此高压兼容工艺适用于制作带高压接口的复杂信号处理电路 .

主 题 词：高压CMOS 0.5μm 兼容工艺 模拟 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2003.07.016

馆 藏 号：203447879...