基于AIN绝缘的多晶硅高温压力传感器设计

作     者：王云彩 孙以材 陈杰 耿青涛 

作者机构：河北工业大学 

出 版 物：《传感器世界》 (Sensor World)

年 卷 期：2008年第14卷第1期

页      码：12-16页

摘      要：探讨了一种多晶硅高温压力传感器的设计方法,采用AlN作硅衬底和多晶硅力敏电阻条之间的电绝缘层,由于无p-n结,力敏电阻无反向漏电,使制作的压力传感器特性好。利用多晶硅材料在高温条件下能够表现出良好的压阻特性,考虑其纵横向压阻效应的不同,作了理论分析,在此基础上制作力敏电阻条。利用有限元分析方法,借助MARC软件,模拟了传感器承压弹性膜的应力场分布,确定了多晶硅力敏电阻条的位置和排列方式。并且施加10kPa压力时,模拟了不同膜厚t与对应的最大应力σ11的曲线;模拟了11方向主应力COMP11边缘中点应力为一特定值时所需压力PN与膜厚t的关系曲线。

主 题 词：压力传感器 芯片设计 多晶硅 力敏电阻 

学科分类：080202[080202] 08[工学] 0802[工学-机械学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1006-883X.2008.01.003

馆 藏 号：203447961...