SiON薄膜中氢的研究

作     者：魏文霖 孟祥森 袁骏 杨辉 葛曼珍 季振国 Wei Wenlin;Meng Xiangsen;Yuan Jun;Yang Hui;Ge Manzhen;Ji Zhenguo

作者机构：浙江大学材料系硅材料国家重点实验室杭州310027 浙江省建筑科学设计研究院杭州310027 浙江大学材料系杭州310027 

出 版 物：《材料导报》 (Materials Reports)

年 卷 期：2000年第14卷第3期

页      码：48-49页

摘      要：氮氧化硅(SiON)薄膜是一种新型的薄膜材料,具有优良的光电性能、机械性能、钝化性能和化学稳定性能,但杂质氢的存在限制了它的应用。详细阐述了氮氧化硅薄膜中氢杂质的存在活动及其对薄膜性能的影响,并提出了降低氢含量的合理方法。

主 题 词：氮氧化硅 薄膜 性能 杂质 氢 

学科分类：08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1005-023X.2000.03.018

馆 藏 号：203447986...