IGBT的du／dt有源门极控制技术的研究

作     者：张国安 张东霞 姜永金 董雅丽 ZHANG Guo-an;ZHANG Dong-xia;JIANG Yong-jin;DONG Ya-li

作者机构：空军雷达学院信息对抗系湖北武汉430019 

出 版 物：《电力电子技术》 (Power Electronics)

年 卷 期：2012年第46卷第6期

页      码：36-38页

摘      要：为减小绝缘栅双极性晶体管(IGBT)的开关损耗,正常工作时要求使其快速开通和关断。但在大电流或过流情况下,快速开通和关断会导致di/dt和du/dt过大。而较大的du_(oe)/dt会使IGBT误触发导通,使得IGBT控制失效。设计了一种能控制IGBT du/dt的新型有源门极控制电路,并进行了分析。给出了仿真和实验结果,验证了新型有源门极控制电路的正确性。

主 题 词：绝缘栅双极性晶体管 有源门极控制 镜像电流源 耦合电容 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-100X.2012.06.013

馆 藏 号：203448116...