一种高精度CMOS过温保护电路

作     者：陈思良 CHEN Si-liang

作者机构：重庆邮电大学光电工程学院重庆400065 

出 版 物：《数字技术与应用》 (Digital Technology & Application)

年 卷 期：2018年第36卷第12期

页      码：160-161页

摘      要：基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种过温保护电路。通过采用调整特定电阻技术产生温度迟滞量,有效避免振荡。仿真结果表明,当温度超过106℃时电路关断,当温度降低至84℃时电路开启,迟滞量为22℃。

主 题 词：过温保护 热振荡 高精度 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19695/j.cnki.cn12-1369.2018.12.88

馆 藏 号：203454153...