退火温度对新型有源层WZTO薄膜晶体管性能的影响

作     者：杨祥 徐兵 周畅 张建华 李喜峰 YANG Xiang;XU Bing;ZHOU Chang;ZHANG Jian-hua;LI Xi-feng

作者机构：上海大学材料科学与工程学院上海200072 上海大学上海市新型显示设计制造与系统集成专业技术服务平台上海200072 上海微电子装备集团有限公司上海200072 

基　　金：国家重点研发计划(2016YFB0401105) 国家自然科学基金(61674101) 上海科学技术委员会项目(17DZ2291500) 上海市优秀学术/技术带头人计划(18XD1424400)资助项目~~ 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2019年第40卷第2期

页      码：209-214页

摘      要：通过溶液法制备了新型有源层钨锌锡氧化物(WZTO)薄膜晶体管(TFT),研究了不同退火温度对WZTO薄膜和TFT器件性能的影响。XRD结果表明即使退火温度达到500℃,WZTO薄膜仍为非晶态结构。W掺杂显著降低了薄膜表面粗糙度,其粗糙度均从0. 9 nm降低到0. 5 nm以下;但不影响薄膜可见光透过率,其透过率均大于85%。同时XPS分析证实随退火温度升高,WZTO薄膜中对应氧空位的峰增加。制备的WZTO器件阈值电压由8. 04 V降至3. 48 V,载流子迁移率随着退火温度的升高而增大,开关电流比达到107。

主 题 词：退火温度 溶液法 薄膜晶体管 WSnZnO 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0827[工学-食品科学与工程类] 080502[080502] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 1009[医学-法医学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/fgxb20194002.0209

馆 藏 号：203454318...