基于衬底注入技术的交叉耦合式QVCO设计

作     者：魏迎军 张飞 WEI Yingjun;ZHANG Fei

作者机构：黄淮学院机械与能源工程学院河南驻马店463000 黄淮学院信息工程学院河南驻马店463000 

基　　金：河南省科技厅项目(152102110039) 

出 版 物：《现代雷达》 (Modern Radar)

年 卷 期：2018年第40卷第12期

页      码：74-77页

摘      要：提出了一种基于衬底注入技术的正交压控振荡器(QVCO)。此QVCO的实现是基于两个电感电容压控振荡器的耦合作用,并没有任何额外的耦合器件。在相位噪声、正交相位误差、调谐范围以及功耗方面,对所提出的QVCO与传统的QVCO进行了比较。仿真表明:该QVCO在4.1 GHz处取得了0.62°的正交相位误差,采用标准的0.13μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺对该QVCO进行流片实现,芯片面积为0.51 mm×0.87 mm。测试结果表明:在3.95 GHz处的相位误差为-118.5 d Bc/Hz@1MHz,在0.5 V电源电压供电下,消耗的功耗为0.41 m W,适用于低功耗需求场合。

主 题 词：互补金属氧化物半导体集成电路 低功耗 衬底注入 交叉耦合 正交压控振荡器 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16592/J.CNKI.1004-7859.2018.12.016

馆 藏 号：203454640...