星载Flash型FPGA单粒子翻转加固试验研究

作     者：李晓亮 罗磊 孙毅 于庆奎 LI Xiaoliang;LUO Lei;SUN Yi;YU Qingkui

作者机构：中国空间技术研究院宇航物资保障事业部北京100094 

基　　金："十三五"装备预先研究项目资助项目(41424050605) 

出 版 物：《太赫兹科学与电子信息学报》 (Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology)

年 卷 期：2018年第16卷第6期

页      码：1131-1134页

摘      要：针对低等级器件抗辐射能力较差的特点,需开展应用加固以满足宇航应用,对一款Flash型现场可编程门阵列(FPGA)开展抗单粒子翻转(SEU)加固设计,并利用地面模拟试验进行加固效果验证,结果表明器件加固后块随机存储器(BRAM)区翻转截面下降近2个数量级,寄存器单粒子翻转截面下降约75%,验证了加固措施的有效性。结合典型轨道环境,计算了器件在轨翻转率,BRAM区翻转率下降4～5个量级,寄存器翻转率下降2～3个量级,可为在轨应用提供指导。

主 题 词：Flash型现场可编程门阵列 单粒子翻转加固 翻转率预计 

学科分类：0809[工学-计算机类] 07[理学] 08[工学] 070202[070202] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.11805/TKYDA201806.1131

馆 藏 号：203454721...