离子敏场效应晶体管宏模型的建立与仿真

作     者：杨振 颜永红 代建玮 刘继周 齐良颉 

作者机构：湖南大学应用物理系湖南长沙410082 苏州中科集成电路设计中心 

出 版 物：《传感器技术》 (Journal of Transducer Technology)

年 卷 期：2005年第24卷第1期

页      码：43-44,47页

摘      要：根据电化学表面基模型理论,提出了一种简单有效的能够描述离子敏场效应晶体管(ISFET)静态特性的仿真模型,借助此模型,对器件的电学行为进行了模拟,仿真结果与实验数据基本相符。

主 题 词：离子敏场效应晶体管 表面基 器件模型 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 080202[080202] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0802[工学-机械学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-9787.2005.01.017

馆 藏 号：203454739...