新型功率器件MCT的研究

作     者：唐国洪 陈德英 周健 

作者机构：东南大学 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：1994年第10卷第1期

页      码：5-8页

摘      要：探讨了新型功率器件ＭＣＴ（ＭＯＳ控制晶闸管）的参数设计和工艺设计及实施方法。通过计算机工艺模拟，采用ＳＤＢ（硅片直接键合）、硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术，在实验室里制成了ＭＣＴ样品。测试结果表明，在－１２伏的栅偏压下能在５μｓ内关断４２Ａ／ｃｍ￣２的阳极电流。

主 题 词：MCT 晶闸管 功率器件 参数设计 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.1994.01.002

馆 藏 号：203454825...