S波段限幅低噪声放大器相位一致性的研究

作     者：史林 韩建栋 

作者机构：电子工业部第十三研究所石家庄050051 

出 版 物：《半导体情报》 (Semiconductor Information)

年 卷 期：1997年第34卷第1期

页      码：39-42页

摘      要：对有源相控阵雷达 T/R 单元中的限幅低噪声放大器部件的相移特性进行了研究。对影响相位一致性的因素进行制约,并采用特殊的设计方法得到了性能良好的低噪声放大器及限幅器。

主 题 词：放大器 相移 噪声系统 低噪声放大器 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13250/j.cnki.wndz.1997.01.009

馆 藏 号：203455532...