GeSi/Si多量子阱光波导模特性分析和吸收层结构设计

作     者：李娜 李宁 陆卫 沈学础 李国正 刘恩科 LI Na;LI Ning;LU Wei;SHEN Xue-Chu;Li Guo-zheng;LIU En-ke

作者机构：中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室 西安交通大学电子工程系 

基　　金：国家自然科学基金 

出 版 物：《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)

年 卷 期：1998年第17卷第3期

页      码：203-208页

摘      要：根据普适于任意阱数的方波折射率分布的多量子阱光波导的模场分布函数和模特征方程，分析了在以ＧｅＳｉ／Ｓｉ多量子阱为波导芯、Ｓｉ为覆盖层的光波导结构中．Ｇｅ含量、周期数、占空度、厚度、折射率分布等参量对光波导传播常数的影响．并结合吸收特点对ＭＱＷ吸收层结构进行优化设计．

主 题 词：GeSi/Si 多量子阱 光波导 吸收层 模特性 

学科分类：070207[070207] 07[理学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1001-9014.1998.03.009

馆 藏 号：203456367...