NAND Flash控制器中RS码的设计与验证

作     者：张文静 姚智慧 ZHANG Wen-jing;YAO Zhi-hui

作者机构：中国航天科工集团第二研究院706所北京100854 

出 版 物：《计算机工程与设计》 (Computer Engineering and Design)

年 卷 期：2013年第34卷第7期

页      码：2590-2594页

摘      要：由于工艺制约,NAND Flash存储器会出现位差错现象,为此引入了RS码保证其数据完整性和正确性。在研究RS码基本原理基础上,给出了编码和译码的电路实现,其中采用并行结构实现钱式搜索电路、采用流水线架构实现译码。与传统方法相比,该实现缩短了计算周期,提高了最高工作频率。在Quartus平台下对RS编译码模块进行功能仿真,仿真结果表明,该纠错码能够满足NAND flash存储器纠错要求,是一种正确适用的纠错方案。

主 题 词：存储器 编码 译码 并行结构 流水线架构案 功能仿真 

学科分类：08[工学] 0839[0839] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-7024.2013.07.062

馆 藏 号：203458179...