硅(100)晶面各向异性腐蚀的凸角补偿方法

作     者：郭玉刚 吴佐飞 田雷 GUO Yu-gang;WU Zuo-fei;TIAN Lei

作者机构：中国航发控制系统研究所江苏无锡214063 中国电子科技集团公司第四十九研究所黑龙江哈尔滨150001 

出 版 物：《传感器与微系统》 (Transducer and Microsystem Technologies)

年 卷 期：2019年第38卷第3期

页      码：25-27页

摘      要：针对单晶硅(100)晶面在氢氧化钾(KOH)腐蚀液中各向异性腐蚀时的削角问题,进行了一项凸角补偿实验。通过不同尺寸与形状组合的〈110〉条形补偿结构,对长方形凸台进行补偿,最终获取具有期望效果的补偿结构。该方法应用于压力传感器芯片的过载保护结构设计。

主 题 词：各向异性腐蚀 削角腐蚀 凸角补偿 过载保护 

学科分类：080202[080202] 08[工学] 0802[工学-机械学] 

D　O　I：10.13873/J.1000-9787(2019)03-0025-03

馆 藏 号：203458199...