基于SiGe BiCMOS工艺的90～100 GHz单刀双掷开关

作     者：施雨 徐余龙 庞东伟 陈涛 桑磊 李庄 曹锐 SHI Yu;XU Yulong;PANG Dongwei;CHEN Tao;SANG Lei;LI Zhuang;CAO Rui

作者机构：合肥工业大学光电技术研究院合肥230009 中国电子科技集团第三十八研究所合肥230009 

基　　金：国家重点研发计划政府间国际科技创新合作重点专项资助项目(2016YFE0100500) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2019年第49卷第1期

页      码：88-92页

摘      要：采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种频带为90～100GHz的差分单刀双掷开关。首先对比分析了并联MOS管与串联MOS管,根据隔离度与损耗性能选择了并联结构。其次采用差分螺旋电感进行匹配,将双端口电感网络等效为变压器模型,显著抑制了共模信号。采用平面三维电磁仿真软件进行联合仿真。结果表明,在中心频点处,差模插入损耗为-4.1dB,共模插入损耗为-7.4dB,隔离度大于-22dB,输入反射系数S_(11)<-12dB,输出反射系数S_(22)<-10dB。芯片尺寸为570μm×140μm。

主 题 词：SiGe BiCMOS 共模抑制 单刀双掷开关 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.180196

馆 藏 号：203458517...