一种30 MHz～3 GHz宽带高增益功率放大器

作     者：胡俊 赵华 陈晓娟 HU Jun;ZHAO Hua;CHEN Xiaojuan

作者机构：中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院大学北京100049 

基　　金：国家重点研发计划资助项目(Y6G9034002) 国家重大专项课题 国家高技术研究发展计划资助项目(Y5G8034001) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2019年第49卷第1期

页      码：34-38页

摘      要：基于0.25μm GaAs PHEMT工艺,设计了一种可应用于甚高频和超高频的宽带高增益功率放大器。该功率放大器采用两级级联结构来克服功率增益的不足,采用堆栈结构来实现平坦的增益和输出功率。仿真结果表明,该功率放大器的工作带宽为30MHz～3GHz,小信号增益为(38.2±1.6)dB,输入输出回路损耗在-10dB以下。在连续波测量模式下,输出1dB压缩点为(35.3±1.0)dBm,功率附加效率为16.8%～11.0%。

主 题 词：宽带 高增益 功率放大器 GaAs 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.180105

馆 藏 号：203458792...