LOD效应和WPE效应在纳米工艺PDK中的应用

作     者：周欢欢 陈岚 尹明会 王晨 张卫华 ZHOU Huan-huan;CHEN Lan;YIN Ming-hui;WANG Chen;ZHANG Wei-hua

作者机构：中国科学院微电子研究所北京100029 三维及纳米集成电路设计自动化技术北京市重点实验室北京100029 

基　　金：国家03重大专项资助项目(2018ZX03001007-003) 北京市技术专项资助项目(Z171100001117147) 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：2019年第36卷第2期

页      码：1-5页

摘      要：本文研究了自主开发的40nm工艺PDK中的LOD效应和WPE效应.LOD参数SA和WPE参数left影响CMOS器件特性,尤其饱和电流I_(dsat)和阈值电压VTH.随着SA减小,NMOS的I_(dsat)减小4.25%而VTH增大2.79%;PMOS的电参数与SA关系曲线与NMOS的一致,但比NMOS趋势要强,I_(dsat)减小8.32%而VTH增大6.78%;并解释了LOD效应的物理机制.随着left的减小,NMOS的I_(dsat)减小9.03%而VTH增大12.5%;PMOS的电参数与left关系曲线比NMOS的要弱,I_(dsat)减小8.50%而VTH增大4.61%,并提出了WPE效应下器件电参数变化原因.在纳米工艺PDK中,LOD效应和WPE效应的准确应用可以更好地模拟器件性能并改善电路设计精度.

主 题 词：PDK LOD WPE 纳米工艺 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2019.02.001

馆 藏 号：203459004...