TSV的电磁-热-结构耦合分析研究

作     者：黄琼琼 尚玉玲 张明 李春泉 邝小乐 HUANG Qiongqiong;SHANG Yuling;ZHANG Ming;LI Chunquan;KUANG Xiaole

作者机构：桂林长海发展有限责任公司广西桂林541001 桂林电子科技大学广西桂林541004 南京船舶雷达研究所江苏南京210003 

基　　金：国家自然基金资助项目(No.51165004 No.51465013 No.61102012) 广西自然科学基金资助项目(No.2012GXNSFDA053029 No.2012GXNSFBA0531) 广西制造系统与先进制造技术重点实验室基金资助项目(No.10-046-07_004) 

出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)

年 卷 期：2015年第34卷第4期

页      码：74-78页

摘      要：基于三场的控制方程建立了电磁场、热场及结构场耦合分析的数学模型,推导出其等效积分"弱"解形式,研究了TSV(Through Silicon Via,硅通孔技术)电磁-热-结构的多物理场耦合效应,分析了高斯脉冲加载条件下TSV的温度和等效应力分布情况。仿真结果表明,在考虑三场耦合的情况下得到的结果更为准确,这将有助于TSV的设计及对其性能进行相应的预测。

主 题 词：TSV 电磁场 热场 结构场 耦合 有限元法 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.04.018

馆 藏 号：203459048...