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基于2ω_0锁定放大结构的硅波导导纳检测电路

基于2ω_0锁定放大结构的硅波导导纳检测电路

作     者:李文辉 李仕琪 汪鹏君 陈伟伟 LI Wenhui;LI Shiqi;WANG Pengjun;CHEN Weiwei

作者机构:宁波大学信息科学与工程学院浙江宁波315211 温州大学数理与电子信息工程学院浙江温州325035 

基  金:国家自然科学基金项目(61875098 61874078 61675108) 浙江省科技厅公益性技术应用研究计划项目(2013C31083) 集成光电子学国家重点联合实验室开放课题项目(IOSKL2015KF03) 

出 版 物:《传感技术学报》 (Chinese Journal of Sensors and Actuators)

年 卷 期:2019年第32卷第1期

页      码:111-116页

摘      要:采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种硅波导导纳检测电路,通过检测光子器件硅波导导纳变化,实现光功率监测。检测电路采用基于目标信号二次谐波(2ω_0)频率的锁定放大结构。目标信号由开关式相敏检测器和跨阻放大器进行频率合成与放大,在2ω_0频率处由二阶OTA-C带通滤波提取,最后硅波导导纳的改变量由提取的电压信号变化量表示。目标信号在2ω_0频率处被提取可以减小1/f噪声对其干扰,从而提高硅波导导纳的分辨率。仿真结果表明,在80 MHz工作带宽内测得导纳分辨率为0.8 pS。

主 题 词:硅波导 导纳检测电路 锁定放大结构 二次谐波频率 1/f噪声 

学科分类:070207[070207] 07[理学] 08[工学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录:

D O I:10.3969/j.issn.1004-1699.2019.01.020

馆 藏 号:203459660...

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