一种高线性GaAs pHEMT宽带低噪声放大器的设计

作     者：谭晓衡 付扬东 林杰 黄剑 TAN Xiao-heng;FU Yang-dong;LIN Jie;HUANG Jian

作者机构：重庆大学通信工程学院重庆400030 

基　　金：国家科技部科技合作项目(2007DF10420) 重庆市自然科学基金资助项目(2008BB2168) 

出 版 物：《重庆大学学报（自然科学版）》 (Journal of Chongqing University)

年 卷 期：2009年第32卷第9期

页      码：1049-1053页

摘      要：针对互补金属氧化物半导体工艺在高频时性能差的缺点,基于砷化镓赝配高电子迁移率晶体管器件,设计了一种用于无线通信系统的宽带低噪声放大器,宽带低噪声放大器的设计采用负反馈来获得平坦的增益和较低的输入输出反射系数。电路版图设计好后利用Advanced Design System 2005进行仿真。仿真结果表明,该放大器在0.3~2.2 GHz频带内,增益高于12 dB,且变化小于3 dB;噪声系数在1.04~1.43 dB之间,输入输出反射系数均小于-10 dB,群延时特性在整个频带内接近线性,且在整个频带内无条件稳定,所设计的宽带低噪声放大器能够很好地满足实际需要。

主 题 词：低噪声放大器 噪声系数 无线通信系统 赝配高电子迁移率晶体管 增益 群延时 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 080902[080902] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0813[工学-化工与制药类] 0814[工学-地质类] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

馆 藏 号：203463653...