低压CMOS带隙电压基准源设计

作     者：朱磊 杨银堂 朱樟明 付永朝 ZHU Lei;Yang Yintang;ZHU Zhangming;Fu Yongchao

作者机构：西安电子科技大学微电子研究所西安710071 

基　　金：国家高技术研究发展863计划资助项目(2002AA1Z1210) 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2005年第25卷第2期

页      码：246-249,264页

摘      要：在对传统典型CMOS带隙电压基准源电路分析和总结的基础上,综合一级温度补偿、电流反馈技术,提出了一种1-ppm/°C低压CMOS带隙电压基准源。采用差分放大器作为基准源的负反馈运放,简化了电路设计。放大器输出用作电路中PMOS电流源偏置,提高了电源抑制比(PSRR)。整个电路采用TSMC0.35μmCMOS工艺实现,采用HSPICE进行仿真,仿真结果证明了基准源具有低温度系数和高电源抑制比。

主 题 词：互补金属氧化物半导体工艺 带隙电压基准源 低压 温度系数 电源抑制比 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2005.02.022

馆 藏 号：203463848...