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Bar条不发光现象对半导体激光器阵列光束特性的影响

Bar条不发光现象对半导体激光器阵列光束特性的影响

作     者:董丽丽 许文海 DONG Li-li;XU Wen-hai

作者机构:哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院黑龙江哈尔滨150001 大连海事大学信息科学技术学院辽宁大连116026 

基  金:国家自然科学基金资助项目(No.60774056) 

出 版 物:《光学精密工程》 (Optics and Precision Engineering)

年 卷 期:2008年第16卷第9期

页      码:1595-1602页

摘      要:为了便于对半导体激光器阵列(LDA)光束整形系统的设计和光束质量的评价,研究了目前LDA应用时普遍存在的问题,即Bar条不发光现象对LDA光强分布等特性的影响。基于LDA中单个发光单元的远场双峰结构,建立了描述LDA远场分布的数学模型,在LDA能量分布95%的主要区域内,该理论模型拟合测量数据的误差<5%。结合该理论模型和对LDA光束特性的实验测试结果,分析了Bar条不发光对LDA光强分布模式以及其它光束特性的影响。结果表明,在传输达到一定距离后,单个或几个Bar条不发光不会改变LDA光强分布模式双峰结构的本质,但对于光强分布的其它特性,如峰值光强大小、峰值光强位置、中心轴光强大小都会产生影响。LDA的功率特性与不发光Bar条的数目呈反比,与不发光Bar条的位置无关。

主 题 词:半导体激光器阵列 Bar条 光强分布 功率 

学科分类:0808[工学-自动化类] 080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0805[工学-能源动力学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录:

D O I:10.3321/j.issn:1004-924X.2008.09.006

馆 藏 号:203463884...

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