非晶硅太阳电池结构模拟设计

作     者：何卓铭 金尚忠 梁培 岑松原 HE Zhuo-ming;JIN Shang-zhong;LIANG Pei;CEN Song-yuan

作者机构：中国计量学院光学与电子科技学院杭州310018 

基　　金：智能型太阳光导入照明系统的设计与开发项目(No.2009C23G2080009)资助 

出 版 物：《光子学报》 (Acta Photonica Sinica)

年 卷 期：2011年第40卷第2期

页      码：204-208页

摘      要：为了从理论上分析提高非晶硅太阳能电池的转化效率,运用微电子和光子结构分析一维器件模拟程序模拟非晶硅太阳电池a-SiC∶H/a-Si∶H/a-Si∶H结构,分析比较了不同前端接触透明导电层的功函数ФITO、禁带宽度、本征层厚度、掺杂浓度、缺陷态密度等因素对太阳电池性能的影响.模拟得到,在功函数达到5.1 eV,禁带宽度1.8 eV,本征层厚度265 nm等最优化条件下,非晶硅太阳能电池转化效率达到9.855%,比一般非晶硅太阳能电池转化效率高近2%.

主 题 词：非晶硅 太阳电池 模拟 性能参量 

学科分类：08[工学] 080502[080502] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/gzxb20114002.0204

馆 藏 号：203463931...