PtSi肖特基势垒红外CCD设计考虑

作     者：杨亚生 

作者机构：重庆光电技术研究所 

出 版 物：《光电子技术》 (Optoelectronic Technology)

年 卷 期：1994年第14卷第4期

页      码：288-295页

摘      要：本文阐述了 PtSi 肖特基势垒红外 CCD(PtSi-SBIRCCD)的设计考虑,包括:PtSi 肖特基势垒探测器(PtSi-SBD)结构的优化,填充系数与 CCD 电荷处理容量之间的匹配,提高 CCD 电荷转移效率。

主 题 词：红外热成像 肖特基势垒 探测器 电荷耦合器件 

学科分类：080903[080903] 080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.19453/j.cnki.1005-488x.1994.04.007

馆 藏 号：203470375...