ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤

作     者：曹萌 吴惠桢 劳燕锋 黄占超 刘成 张军 江山 Cao Meng;Wu Huizhen;Lao Yanfeng;Huang Zhanchao;Liu Cheng;Zhang Jun;Jiang Shan

作者机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 中国科学院研究生院北京100039 武汉邮电科学研究院 

基　　金：国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2003CB314903)~~ 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2006年第27卷第1期

页      码：178-182页

摘      要：为了研究ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤情况,用气态源分子束外延技术生长了经特殊设计的InAsP/InP应变多量子阱结构.采用感应耦合等离子体对其进行刻蚀.通过测量刻蚀前、后量子阱结构的光致发光谱,确定了刻蚀75nm后样品损伤深度约为40nm,应用Rahman模型计算得到的理论损伤深度为43.5nm,两者符合得比较好.通过分析损伤产生的机理,认为产生损伤的主要原因是离子隧穿.

主 题 词：干法刻蚀 应变量子阱 光致发光谱 损伤 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2006.01.035

馆 藏 号：203470584...