基于CMOS准浮栅技术的超低压模拟集成电路

作     者：朱樟明 杨银堂 任乐宁 ZHU Zhangming;YANG Yintang;REN Lenin

作者机构：西安电子科技大学微电子研究所西安710071 

基　　金：国家自然科学基金(60476046) 部委基金(51408010203DZ0124 51408010304DZ0140 51408010205DZ0164) 国家重点实验室基金(51433030103DZ0101)资助 

出 版 物：《科学技术与工程》 (Science Technology and Engineering)

年 卷 期：2006年第6卷第2期

页      码：143-146,150页

摘      要：基于多输入浮栅MOS晶体管的分析,系统研究准浮栅MOS晶体管的工作原理、电气特性及等效电路,并总结其用于超低电压模拟电路设计的优势。基于CMOS准浮栅技术,提出了0.8V两级运算放大器和1V2.4GHzGilbert混频器电路,并采用TSMC0.25μm2P5MCMOS工艺的Bsim3V3模型完成了特性仿真,仿真结果显示了准浮栅技术用于超低电压模拟电路设计的优势。

主 题 词：CMOS 准浮栅 超低电压 模拟电路 运放 混频器 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1671-1815.2006.02.010

馆 藏 号：203470592...