60%电光效率高功率激光二极管阵列

作     者：王俊 白一鸣 崇锋 刘媛媛 冯小明 王勇刚 张广泽 刘素平 马骁宇 Wang Jun;Bai Yiming;Chong Feng;Liu Yuanyuan;Feng Xiaoming;Wang Yonggang;Zhang Guangze;Liu Suping;Ma Xiaoyu

作者机构：中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心北京100083 中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室北京100083 

基　　金：国家自然科学基金(9140A02011406ZK03)资助项目 

出 版 物：《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)

年 卷 期：2008年第35卷第9期

页      码：1323-1327页

摘      要：设计并制备了980 nm高量子效率和极低光损耗的激光二极管(LD)外延材料和器件。微通道封装1 cm激光二极管阵列在连续(CW)工作条件下最大电光效率达到60.0%,相应的斜率效率和输出光功率分别为1.1 W/A和38.2 W。测试得到外延材料的内损耗系数和内量子效率分别为0.58 cm-1和91.6%。测试分析表明,器件电光效率的提高主要在于新型的InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱和大光腔结构设计。

主 题 词：半导体激光器 电光效率 InGaAs/GaAsP量子阱 大光腔 

学科分类：0808[工学-自动化类] 080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0805[工学-能源动力学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/CJL20083509.1323

馆 藏 号：203471348...