GaAs基共振遂穿二极管的材料结构研究

作     者：王杰 张斌珍 刘君 唐建军 谭振新 贾晓娟 高杰 WANG Jie;ZHANG Binzhen;LIU Jun;TANG Jianjun;TAN Zhenxin;JIA Xiaojuan;GAO Jie

作者机构：电子测试技术国家重点实验室仪器科学与动态测试教育部重点实验室中北大学太原030051 

基　　金：国家自然基金重点资助项目(50730009) 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2011年第31卷第2期

页      码：136-140页

摘      要：用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长了三种不同材料结构的RTD。主要针对阱结构进行了对比设计,然后对设计结构进行了常温下的I-V特性测试,测试结果中器件的PVCR值最高达到了6,VP降低到了0.41V。同时常温下测试了其中一种设计结构的敏感单元在四种不同发射极面积下的I-V特性曲线。最后对器件阱结构和发射极面积大小与器件直流特性的关系进行了分析总结,为设计性能更好的RTD结构提供了参考依据。

主 题 词：共振隧穿二极管 I-V特性 砷化镓 发射极 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2011.02.008

馆 藏 号：203472510...