电流主动导引结构倒装AlGaInP LED

作     者：李川川 关宝璐 郝聪霞 郭霞 

作者机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院光子器件研究实验室北京100124 

基　　金：国家自然科学青年基金(60908012) 北京市教委项目(KM201010005030)资助课题 

出 版 物：《光学学报》 (Acta Optica Sinica)

年 卷 期：2012年第32卷第7期

页      码：242-245页

摘      要：设计并制备了一种带有电流导引结构的新型倒装AlGaInP LED。实验结果表明,在20mA直流电流注入下,器件的电压为2.19V,输出光功率与普通倒装器件相比提高了17.33%。通过电流导引结构,使得器件注入电流被主动引导到电极以外部分,有效增大了上电极以外部分有源区中用于发光的有效载流子数目的比例,同时减轻了电流密度过大现象,大大提高了器件的出光效率。

主 题 词：光电子学 AlGaInP LED 倒装 电流导引 电流密度分布 

学科分类：0808[工学-自动化类] 080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0805[工学-能源动力学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/aos201232.0723004

馆 藏 号：203473190...