GaAs单片式声表面波存储相关器

作     者：白涛 李云 陈运祥 朱昌安 

作者机构：四川压电与声光技术研究所重庆400060 河北半导体研究所石家庄050051 

出 版 物：《压电与声光》 (Piezoelectrics & Acoustooptics)

年 卷 期：2002年第24卷第1期

页      码：8-11页

摘      要：主要介绍了一种利用具有压电特性的半导体材料砷化镓设计和制作的声表面波非线性效应器件 ;声表面波存储相关器 ,对在这种器件的研制过程中所应该注意的一些关键性问题 :如存储时间、离子注入等进行了较为详细的讨论 。

主 题 词：砷化镓 声表面波非线性效应 声表面波存储相关器 存储时间 离子注入 砷化镓 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-2474.2002.01.003

馆 藏 号：203474129...