具有高输出功率的多量子阱发光二极管的结构设计

作     者：刘映群 丁向荣 LIU Ying-qun;DING Xiang-rong

作者机构：电子信息工程学院广东岭南职业技术学院广东广州510663 电子通信工程系广东轻工职业技术学院广东广州510300 

出 版 物：《量子光学学报》 (Journal of Quantum Optics)

年 卷 期：2014年第20卷第3期

页      码：262-265页

摘      要：设计了具有高量子效率的发光二极管(LED)芯片。通过采用Mg掺杂的AlInN-InGaN-AlInN作为LED的电子阻挡层,减小由极化引起的静电场,增大电子和空穴波函数的交叠比,从而增大了辐射复合速率。提高辐射复合速率有利于缓解电子泄露问题,增加了LED的发光功率,减小LED在大电流下的效率下降问题。新设计的芯片在大电流注入下,发光功率是传统结构的两倍。

主 题 词：高量子效率 发光二极管 电子阻挡层 

学科分类：070207[070207] 07[理学] 08[工学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.3788/asqo20142003.0262

馆 藏 号：203474234...