可用于802.11a/b/g的多频带低噪声放大器设计

作     者：邱弘纬 吕学士 

作者机构：台湾大学电子研究所 

出 版 物：《电子测试》 (Electronic Test)

年 卷 期：2003年第16卷第7期

页      码：90-94页

摘      要：本文将介绍一个利用0.35微米SiGe BiCMOS制造工艺所设计出来的多频带低噪声放大器。这个多频带低噪声放大器可操作的频段包括2.4、4.9、5.2及5.7GHz,主要可应用在无线局域网络射频芯片。最后测量出来的结果显示,当第一级晶体管的集极电流偏压在3.8mA时,从2.4GHz到2.5GHz,S11皆小于-27.6dB,而当第一级晶体管的集极电流偏压在比较小的3mA时,从5.1GHz到5.4GHz皆小于-27dB。从5.1GHz到5.4GHz S11则小于-34dB,且从5.7到5.9GHz都小于-21dB。从实验结果我们可清楚地看出,这个低噪声放大器靠着电流大小的改变,就可以让共振频率从某一个频率跳到另一个频率,达到多频带操作的功能。

主 题 词：多频带低噪声放大器 无线局域网 输入阻抗匹配 IEEE802.11a IEEE802.11b IEEE802.11g 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203475222...