InGaAs/InP盖革模式雪崩焦平面阵列的研制

作     者：张秀川 蒋利群 高新江 陈伟 奚水清 姚科明 兰逸君 卢杰 

作者机构：重庆光电技术研究所重庆400060 

基　　金：部级基金项目 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2015年第36卷第3期

页      码：356-360,391页

摘      要：设计制作了一种由InGaAs/InP雪崩光电二极管阵列与时间计数型CMOS读出电路组成的8×8阵列规格盖革模式雪崩焦平面阵列(GM APD FPA)。雪崩光电二极管采用SAGCM结构,在盖革模式下工作具有单光子探测灵敏度;时间计数型CMOS读出电路在每个单元获取光子飞行时间,实现纳秒级的时间分辨率,并完成雪崩淬灭功能。测试结果表明,倒装混合集成的GM APD FPA器件暗计数率(DCR)均值为32.5kHz,单光子探测效率(PDE)均值为19.5%,单元时间抖动为465ps,实现了光脉冲时间信息的探测,验证了盖革模式雪崩焦平面阵列技术及其在三维成像中应用的可行性。

主 题 词：三维成像 单光子 盖革模式 焦平面阵列 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.16818/j.issn1001-5868.2015.03.003

馆 藏 号：203478621...