低电阻p-DBR结构的模拟分析

作     者：马丽娜 郭霞 盖红星 渠红伟 董立闽 邓军 廉鹏 沈光地 MA Li-na;Guo Xia;GAI Hong-xing;QU Hong-wei;DONG Li-min;DENG Jun;LIAN Peng;SHEN Guang-di

作者机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京市光电子技术实验室北京100022 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60276033 69889601) 国家"863"高技术计划资助项目(2002AA312070) 国家"973"计划资助项目(G20000683-02) 北京市自然科学基金资助项目(4021001) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2005年第30卷第6期

页      码：56-59页

摘      要：设计了低电阻的渐变型分布布拉格反射器(DBR)结构,模拟分析了采用渐变p-DBR结构对价带能带的影响,并详细讨论了渐变形状、渐变区宽度、掺杂浓度等参数对低电阻渐变DBR结构的价带势垒的影响。利用MOCVD技术制备了实验样品,模拟结果与实验数据基本吻合。

主 题 词：渐变布拉格反射器 渐变形状 价带势垒 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353X.2005.06.015

馆 藏 号：203478621...