特种器件厚外延前后图形转移方法研究

作     者：唐昭焕 任芳 谭开洲 杨发顺 王斌 刘勇 陈光炳 TANG Zhaohuan;REN Fang;TAN Kaizhou;YANG Fashun;WANG Bin;LIU Yong;CHEN Guangbing

作者机构：模拟集成电路重点实验室重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 贵州省微纳电子技术重点实验室贵阳550025 

基　　金：国家重大基础研究基金资助项目(Y61398) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2011年第41卷第6期

页      码：914-917页

摘      要：提出了一种特种器件厚外延前后图形的转移方法。通过设计一块带外延前图形层的对位标记和投影光刻机识别标记的掩膜版,解决了厚外延之前图形的精确套准和厚外延之后投影光刻的难题,实现了厚外延前后的套刻精度高于0.5μm。该方法可广泛应用于带埋层的VDMOS、超结VDMOS、高压互补双极器件,以及高压BCD器件的投影光刻。

主 题 词：特种器件 厚外延 图形转移 VDMOS 超结 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203479985...