微机电系统中薄膜结构在静电力和Casimir力作用下的稳定性

作     者：王晨华 郭万林 冯谦 WANG Chen-hua;GUO Wan-lin;FENG Qian

作者机构：南京航空航天大学航空宇航学院南京210016 

出 版 物：《南京航空航天大学学报》 (Journal of Nanjing University of Aeronautics & Astronautics)

年 卷 期：2005年第37卷第2期

页      码：208-211页

摘      要：研究了静电驱动的微机械薄膜的稳定性问题。当微机械构件之间的间距在亚微米尺度以下,构件会受到量子效应的影响,如Casimir效应。通过对薄膜在静电力及Casimir力共同作用下的行为进行分析,由数值计算得到了决定薄膜稳定性状态的无量纲参数K及K曲线的临界值KC,若K值大于KC,薄膜结构为不稳定,会引起塌陷失效,薄膜粘附在基底上,且不可恢复。KC值大小与微机械薄膜和基底表面的距离以及外加电压相关。由此提供了设计高长厚比(L/h)的静电驱动薄膜结构的方法。

主 题 词：Casimir效应 薄膜稳定性 静电驱动 多晶硅 微机电系统 

学科分类：08[工学] 080203[080203] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0802[工学-机械学] 081102[081102] 0811[工学-水利类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-2615.2005.02.016

馆 藏 号：203480072...