2010年半导体技术展望

作     者：大久保聪 玉荣 

作者机构：<日经电子> 

出 版 物：《电子设计应用》 (Electronic Design & Application World)

年 卷 期：2005年第7期

页      码：50-50,52-53,55-56,58页

摘      要：从现在开始,预见到2010年,CMOS工艺将迅速发展.随着工艺微细化的发展,CMOS管的集成度和性能将不断提高.目前,是CMOS技术发展的鼎盛时期.但只是不断地微细化,将很难提高晶体管的性能.因为不降低MOS管的开启电压,就无法提高其工作速度;同时,漏电流的增加,使管子本身消耗的功率增加.

主 题 词：半导体 CMOS技术 制作工艺 晶体管 开启电压 漏电流 

学科分类：0202[经济学-财政学类] 02[经济学] 020205[020205] 

馆 藏 号：203481237...