采用AlSb缓冲层生长2.3μm InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构

作     者：尤明慧 高欣 李占国 刘国军 李林 李梅 王晓华 You Minghui;Gao Xin;Li Zhanguo;Liu Guojun;Li Lin;Li Mei;Wang Xiaohua

作者机构：长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室长春130022 

基　　金：高功率半导体激光国家重点实验室预研基金项目(232480) 国家自然科学基金项目(60976056) 

出 版 物：《强激光与粒子束》 (High Power Laser and Particle Beams)

年 卷 期：2010年第22卷第8期

页      码：1716-1718页

摘      要：针对常见的GaSb衬底的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构进行了设计和外延生长。样品通过X-射线测试,有多级衍射卫星峰出现,表明量子阱结构的均匀性和界面质量较好,引入AlSb缓冲层可以降低衬底与外延层之间的界面自由能,使AlSb起到了一个滤板的作用,抑制了位错的扩散。光荧光谱测试表明,室温下量子阱结构中心发光波长在2.3μm附近。

主 题 词：AlSb缓冲层 InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱 中红外 锑化物 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/HPLPB20102208.1716

馆 藏 号：203487545...