半导体纳米线的原位应变研究

作     者：王岩国 Wang Yanguo

作者机构：中国科学院物理研究所北京100190 

基　　金：国家自然科学基金面上项目(10774174 60796078) 

出 版 物：《分析仪器》 (Analytical Instrumentation)

年 卷 期：2011年第2期

页      码：71-74页

摘      要：利用原位电子显微方法对半导体纳米线进行了原位应变研究,结果表明:在轴向压应力的作用下,ZnSe纳米线可以发生明显的塑性形变,导致纳米线发生大应变。通过在纳米尺度上控制压力探针位移的精度,可实现对纳米线应变的准确控制,进而达到纳米线应变量的可设计性和可控制性。

主 题 词：原位电子显微镜 半导体纳米线 设计 控制 

学科分类：07[理学] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-232X.2011.02.016

馆 藏 号：203487790...