创意电子发布28nm DDR3—2133／LPDDR2复合式IP

出 版 物：《集成电路应用》 (Application of IC)

年 卷 期：2013年第30卷第1期

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摘      要：创意电子日前推出28nm DDR3—2133／LPDDR2组合PHY与控制器IP。全新的复合式IP使用台积电28nmHPM制程，提供PHY、控制器与DDR系统完整的解决方案。

主 题 词：DDR3 复合式 电子 创意 DDR系统 控制器 PHY 台积电 

学科分类：12[管理学] 1201[管理学-管理科学与工程类] 08[工学] 

馆 藏 号：203488772...